超辐射发光二极管（SLD）是一种半导体器件，当正向偏置时，会在宽光谱范围内产生放大的自发辐射。与激光器不同，SLD具有较宽的光谱，使其适用于各种应用。

SLD缺乏实现激光作用的反馈。光学反馈的抑制是通过倾斜的波导和反射率小于0.001%的抗反射涂层实现的，这可以显著减少光谱波纹。SLD的峰值波长和强度取决于活性材料成分和注入电流。

Innolume制造的某些SLD具有高输出光功率，超过250mW，低光谱波纹和宽光谱。光谱的宽度很重要，因为它会影响相干长度。更宽的频谱宽度对某些应用是有益的。

SLD具有高度的空间相干性，可以有效地耦合到单模光纤中。

Innolume提供各种封装选项，提供14针模块，可提供PM/HI光纤类型、松套管和光电二极管。

此外，Innolume有能力提供芯片安装在子基座上、芯片安装在散热器上（如C-Mount）或TO封装的配置。

超辐射发光二极管（SLD）的关键特性：

高输出功率：能够实现超过250mW的输出光功率。

广谱：某些Innolume SLD提供的光谱宽度超过100nm。

反馈抑制：倾斜波导和抗反射涂层（反射率<0.001%）可减少光学反馈并最大限度地减少光谱波纹。

封装选项：提供各种封装配置，包括14引脚模块和芯片放置选项，如子基座、散热器或TO can封装。

定制：Innolume有能力根据客户要求生产具有指定波长和光谱宽度的SLD。